| 設置機関 | 東京工業大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | サムコ |
| 型番 | RIE_10NR |
| 設備名称 | リアクテブイオンエッチング装置 (Reactive ion etcher) |
| 装置スペック | ・各種シリコン薄膜(Si, SiO2, poly-Si, Si3N4等)の高精度エッチング装置 ・グラフィックタッチパネルによる全自動運転 ・最大φ8インチウエハー加工可能 ・高速排気エッチング ガスの種類:CH4, H2, O2, Ar,CF4, O2 |
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